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VOW135参考设计电路|MOSFET驱动器应用电路 评论(0) 收藏(0
所属分类:测试测量 信号采集电路
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VOW135  
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  VOW135参考设计电路|MOSFET驱动器应用电路

VOW135由一个红外发光二极管和一个带功率输出级的集成电路经光耦合而成,完美适用于驱动电机控制和变流器应用所使用的IGBT和MOSFET。此篇主要介绍了VOW135特性、应用范围、参考设计电路以及电路分析,帮助大家缩短设计时间。

VOW135特性:2.5A最小峰值输出电流有磁滞的欠压锁定0.5V最大低电平输出电压0.2µs最大脉宽失真

VOW135典型应用范围工业焊接设备电机驱动器工业逆变器商用及住宅太阳能变流器风力发电机变流器电动汽车和插入式混合电动汽车充电器

VOW135参考设计应用电路:

  

1 VOW135内部结构

1 MBd widebody optocouplers consist of a GaAlAs infrared emitting diode, optically coupled with an integrated photo detector. An integral Faraday shield provides a high level of noise isolation, required by high power switching applications.

 

2 VOW135参考设计

Vishay’s 1 MBd wide body couplers feature a high level of isolation distance, exhibiting an external creepage distance of > 10 mm. This makes these parts ideal for applications with working voltages exceeding 1000 V.

VOW135中文数据手册:点击下载 

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VOW135参考设计图.png [ 12.3 KB ] [ 原理图 ] [ 下载次数:7 ]
VOW135内部结构图.png [ 7.8 KB ] [ 原理图 ] [ 下载次数:1 ]

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